展示面向 AI、計算和存儲系統(tǒng)的創(chuàng)新應用
東京--(美國商業(yè)資訊)-- Kioxia Corporation 是全球存儲器解決方案的領導者，公司今日宣布，其研究論文已被 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 2024 接受發(fā)表。IEDM 2024 是享譽全球的國際盛會，將于 12 月 7 日 至 11 日 在美國舊金山舉行。
Kioxia 致力于半導體存儲器的研發(fā)，這對于人工智能的進步和社會數字化轉型至關重要。除了其最先進的 3D 閃存技術 BiCS FLASH™ 之外，Kioxia 在新興存儲器解決方案的研究方面也卓有成效。公司不斷努力，以創(chuàng)新的存儲器產品滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。
現(xiàn)有的計算系統(tǒng)利用 DRAM（一種主要的存儲器，使 CPU 能夠快速處理數據）以及閃存來存儲海量數據。Kioxia 正引領存儲級存儲器 (SCM) 的研發(fā)，SCM 是一種位于半導體存儲器層級結構中 DRAM 和閃存之間的存儲器解決方案，旨在以比 DRAM 更大的容量和比閃存更高的速度處理數據。
在 IEDM 上，Kioxia 將揭曉針對這三種半導體存儲器而定制的尖端技術： (1) 一種利用氧化物半導體的新型 DRAM，重點是降低功耗，(2) 適用于更大容量 SCM 應用的 MRAM，以及 (3) 具有更高比特密度和性能的新型 3D 閃存結構。
新興存儲器技術：
1. 氧化物半導體通道晶體管 DRAM (OCTRAM)： 該技術由南亞科技和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開發(fā)。雙方開發(fā)了一種垂直晶體管，通過改進制造工藝增強了電路集成度。同時，通過利用氧化物半導體的特性提升晶體管性能，實現(xiàn)了極低的電流泄漏。這有望降低各種應用的功耗，包括 AI、后 5G 通信系統(tǒng)以及物聯(lián)網產品。
論文標題：具有 4F2 架構的氧化物半導體通道晶體管 DRAM (OCTRAM)（論文編號：6-1）
2. 高容量交叉點 MRAM 技術： 該技術由 SK 海力士和 Kioxia Corporation 聯(lián)合開發(fā)。通過該技術，雙方結合適用于大容量的選擇器與磁性隧道結的單元技術，并應用交叉點型陣列的精細加工技術，在 MRAM 最小的單元半間距 20.5 納米規(guī)模上實現(xiàn)了單元讀/寫操作。隨著存儲單元小型化，存儲器可靠性往往會下降。雙方利用選擇器瞬態(tài)響應的新讀出方法，并降低讀取電路的寄生電容，開發(fā)出一種潛在的解決方案。該技術在 AI 和大數據處理方面具有實際應用價值。
論文標題：全球最小的 64 Gb 交叉點 MRAM 1Selector-1MTJ 單元的可靠存儲器操作和低讀取干擾率（論文編號：20-1）
3. 采用水平單元堆疊結構的下一代 3D 存儲器技術： Kioxia 開發(fā)了一種新的 3D 結構來提高可靠性并防止 NAND 型單元性能下降。在傳統(tǒng)結構中，堆疊層數增加通常會導致性能下降。與垂直排列 NAND 型單元的傳統(tǒng)結構相比，新結構通過水平堆疊 NAND 型單元。這種結構允許以低成本實現(xiàn)高比特密度和高可靠性的 3D 閃存。
論文標題：先進水平通道閃存的卓越可擴展性，適用于未來幾代 3D 閃存（論文編號：30-1）
Kioxia 的使命是“用‘存儲器’提升世界”，旨在通過存儲器技術開創(chuàng)新時代，并將繼續(xù)推動研發(fā)，支撐數字社會未來發(fā)展。
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關于 Kioxia
Kioxia 是全球存儲器解決方案領域的領軍企業(yè)，致力于閃存和固態(tài)硬盤(SSD)的開發(fā)、生產和銷售。其前身是Toshiba Memory，于2017年4月從Toshiba Corporation（1987年發(fā)明了NAND閃存）剝離出來。Kioxia 致力于憑借存儲器技術促進世界發(fā)展，該公司提供各種產品、服務和系統(tǒng)，為客戶提供多樣化選擇，并基于存儲器技術創(chuàng)造價值，推動社會的發(fā)展。Kioxia 創(chuàng)新的3D閃存技術BiCS FLASH™正在塑造存儲技術在高密度應用領域（包括高級智能手機、PC、SSD、汽車和數據中心）的未來。
