Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")開發(fā)出業(yè)界首款[1]工業(yè)設備用2200V雙碳化硅(SiC) MOSFET模塊“MG250YD2YMS3 ”。新模塊的漏極電流(DC)額定值為250A，并采用該公司的第三代SiC MOSFET芯片。它適用于使用DC1500V的應用，如光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)。批量出貨于即日起啟動。
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類似上述的工業(yè)應用通常使用DC1000V或更低的功率，其功率器件大多為1200V或1700V產品。然而，Toshiba預計未來幾年DC1500V將得到廣泛應用，并已推出業(yè)內首款2200V產品。
MG250YD2YMS3導通損耗低，漏極-源極導通電壓（感應端）低至0.7V（典型值）[2]。它還具有較低的導通和關斷開關損耗，分別為14mJ（典型值）[3]和11mJ（典型值）[3]，與典型的硅(Si) IGBT相比降低了約90%[4]。這些特性有助于提高設備效率。低開關損耗還可以將傳統(tǒng)的三電平電路替換為模塊數量更少的兩電平電路，從而促進設備的小型化。
Toshiba將繼續(xù)滿足市場對高效率和工業(yè)設備小型化的需求。
注釋：
[1] 雙碳化硅MOSFET模塊。Toshiba調查，截至2023年8月。
[2] 測試條件：ID=250A，VGS=+20V，Tch=25°C
[3] 測試條件：VDD=1100V，ID=250A，Tch=150°C
[4] 截至2023年8月，Toshiba對2300V硅模塊和新型全碳化硅MOSFET模塊MG250YD2YMS3的開關損耗進行的比較（2300V硅模塊的性能值是Toshiba根據2023年3月或之前發(fā)表的論文估算的。）
應用
工業(yè)設備
- 可再生能源發(fā)電系統(tǒng)（光伏發(fā)電系統(tǒng)等）
- 儲能系統(tǒng)
- 工業(yè)設備的電機控制設備
- 高頻直流-直流轉換器等
特性
低漏極-源極導通電壓（感應端）：
VDS(on)sense=0.7V（典型值）(ID=250A, VGS=+20V, Tch=25°C)
低導通開關損耗：
Eon=14mJ（典型值）(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
低關斷開關損耗：
Eoff=11mJ（典型值）(VDD=1100V, ID=250A, Tch=150°C)
低雜散電感：
LsPN=12nH（典型值）
主要規(guī)格
（除非另有說明，否則Tc=25°C）
型號
MG250YD2YMS3
Toshiba封裝名稱
2-153A1A
絕對
最大
額定值
漏源電壓VDSS (V)
2200
柵極-源極電壓VGSS (V)
+25 / -10
漏極電流（直流）ID (A)
250
漏極電流（脈沖）IDP (A)
500
通道溫度Tch (°C)
150
隔離電壓Visol (Vrms)
4000
電氣
特性
漏極-源極導通電壓（感應端）
VDS(on)sense (V)
ID=250A, VGS=+20V,
Tch＝25°C
典型值
0.7
源極-漏極導通電壓（感應端）
VSD(on)sense (V)
IS=250A, VGS=+20V,
Tch＝25°C
典型值
0.7
源漏關斷電壓（感應端）
VSD(off)sense (V)
IS＝250A, VGS=-6V,
Tch＝25°C
典型值
1.6
導通開關損耗
Eon (mJ)
VDD=1100V,
ID=250A, Tch＝150°C
典型值
14
關斷開關損耗
Eoff (mJ)
典型值
11
雜散電感LsPN (nH)
典型值
12
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MG250YD2YMS3
訪問以下鏈接，詳細了解Toshiba的SiC功率器件。
SiC功率器件
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關于Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation是一家領先的先進半導體和存儲解決方案供應商，依托半個多世紀的經驗與創(chuàng)新優(yōu)勢，為客戶和業(yè)務合作伙伴提供杰出的半導體分立器件、系統(tǒng)LSI和HDD產品。
公司在全球擁有21,500名員工，以實現(xiàn)產品價值最大化為己任，與客戶緊密合作，共同創(chuàng)造價值、開拓新市場。Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation年銷售收入近8000億日元（61億美元），立志為全人類創(chuàng)造更加美好的未來。
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Toshiba：業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC) MOSFET模塊MG250YD2YMS3。（圖示：美國商業(yè)資訊）
Toshiba：業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC) MOSFET模塊MG250YD2YMS3。（圖示：美國商業(yè)資訊）
