Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)是全球下一代電力系統(tǒng)中的GaN（氮化鎵）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，最近推出了一款高性能、低成本的驅(qū)動器解決方案。該設(shè)計方案適用于LED照明、充電、微逆變器、UPS和游戲電腦等低到中功率應(yīng)用，進一步鞏固了公司在30億美元電力市場中對上述領(lǐng)域客戶的價值定位。

與競爭對手需要定制驅(qū)動器或門保護裝置的電平轉(zhuǎn)換電路的e-mode氮化鎵器件解決方案不同，Transphorm的SuperGaN® FET器件因與現(xiàn)成驅(qū)動器配對而易于驅(qū)動。這一強大能力為客戶在使用Transphorm器件時帶來成本優(yōu)勢。新定義的解決方案采用了高速、非隔離、高壓半橋門驅(qū)動器，進一步降低了系統(tǒng)的總成本，而不會影響GaN FET器件或系統(tǒng)性能。

Transphorm高級副總裁、業(yè)務(wù)拓展和市場營銷負責人Philip Zuk表示：“我們的通常斷開型氮化鎵平臺能夠與知名現(xiàn)成驅(qū)動器配合使用，因此更具競爭力。能夠選擇驅(qū)動器是一項重要優(yōu)勢。客戶可根據(jù)不同程度的性能優(yōu)勢選擇驅(qū)動器，同時讓電力系統(tǒng)成本更加可控。這對價格敏感的終端市場尤為重要�！彼^續(xù)說道：“Transphorm器件提供的是更高的性能，即能夠讓客戶基于所需的最終結(jié)果構(gòu)建BOM，盡可能以更具成本效益的方式實現(xiàn)所需性能�！�

Transphorm還推薦了各種其他驅(qū)動器，這些驅(qū)動器具有高隔離電壓等級（控制到輸出驅(qū)動信號）、短傳播延遲時間、快速開關(guān)時間和可編程死區(qū)時間等優(yōu)點，非常適合高功率應(yīng)用。

中低功率應(yīng)用（如電源適配器、游戲筆記本電腦充電器、LED照明以及兩輪和三輪車充電器等）對價格敏感。這些類型產(chǎn)品中的電源系統(tǒng)通常不需要安全隔離等高級功能。因此，使用高級驅(qū)動器可能會不必要地增加物料清單 (BOM) 的成本。

性能分析

半橋門驅(qū)動器與Transphorm的PQFN88封裝650V、72mΩ器件 TP65H070LSG型號進行了測試，可用于橋式拓撲，如諧振半橋、電壓諧振逆變器、正弦波逆變器或主動鉗位反激。

測試結(jié)果表明，在開關(guān)頻率小于等于150kHz時，無論是否使用散熱器或強制風冷，低成本驅(qū)動器解決方案均表現(xiàn)良好。在某些配置中，該解決方案最終實現(xiàn)了接近99%的效率。

應(yīng)用筆記獲取

如需進一步了解上述解決方案，請下載題為《Low Cost, High Density, High Voltage Silicon Driver for Low- to Mid-Power GaN FET Applications》（適用于中低功率GaN FET應(yīng)用的低成本、高密度、高電壓硅驅(qū)動器）的應(yīng)用筆記，鏈接：https://bit.ly/3MTfQtB。

關(guān)于 Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化鎵革命的全球領(lǐng)導(dǎo)者，致力于設(shè)計、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的高性能、高可靠性氮化鎵半導(dǎo)體功率元件。Transphorm擁有最龐大的功率氮化鎵知識產(chǎn)權(quán)組合之一，持有或取得授權(quán)的專利超過1,000多項，在業(yè)界率先生產(chǎn)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認證的高壓氮化鎵半導(dǎo)體元件。歸功于垂直整合的商業(yè)模式，公司能夠在產(chǎn)品和技術(shù)開發(fā)的每一個階段進行創(chuàng)新，包括設(shè)計、制造、元件和應(yīng)用支持。Transphorm的創(chuàng)新使電力電子設(shè)備突破硅的局限性，以使效率超過99%、將功率密度提高50%以及將系統(tǒng)成本降低20%。Transphorm的總部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本會津設(shè)有制造工廠。