Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation（以下簡稱“Toshiba”）推出了“SSM14N956L”，這是一款額定電流為20A的12V共漏極N溝道MOSFET，用于鋰離子(Li-ion)電池組（例如移動設備電池組）的電池保護電路中。今天開始發(fā)貨。

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鋰離子電池組依靠高度穩(wěn)健的保護電路來減少充電和放電時產生的熱量并提高安全性。這些電路必須具有低功耗和高密度封裝的特性，需要能夠提供低導通電阻的小巧輕薄型MOSFET。

SSM14N956L采用Toshiba的微工藝，已經發(fā)布的SSM10N954L也是如此。這就確保了低功率損耗（由于行業(yè)領先的[1]低導通電阻特性）和低待機功率（通過行業(yè)領先的[1]低柵源漏電流特性實現(xiàn)）。這些品質有助于延長電池的工作時間。新產品還采用了全新的小型薄型封裝TCSPED-302701（2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm (typ.)）。

Toshiba將繼續(xù)開發(fā)MOSFET產品，用于鋰離子電池組供電設備中的保護電路。

應用

· 使用鋰離子電池組的消費類電子產品和辦公及個人設備，包括智能手機、平板電腦、移動電源、可穿戴設備、游戲機、電動牙刷、小型數碼相機、數碼單反相機等。

特性

· 行業(yè)領先的[1]低導通電阻：RSS(ON)=1.1mΩ (typ.) @VGS=3.8V

· 行業(yè)領先的[1]低柵源漏電流：IGSS=±1μA (max) @VGS=±8V

· 小巧輕薄型TCSPED-302701封裝：2.74mm x 3.0mm，t=0.085mm (typ.)

· 共漏極結構，可輕松用于電池保護電路中

注意：

[1]：在具有相同評級的產品中。截至2023年5月的數據，基于Toshiba的調查結果。

主要規(guī)格

（除非另有說明，Ta=25°C）

部件編號

SSM14N956L

SSM10N954L[2]

配置

N溝道共漏極

絕對

最大

額定值

源極電壓VSSS (V)

12

柵極電壓VGSS (V)

±8

拉電流（直流）IS (A)

20.0

13.5

電氣

特性

柵極漏電流IGSS

max (μA)

@VGS＝ ±8V

±1

源極

導通電阻RSS(ON)

typ. (mΩ)

@VGS＝4.5V

1.00

2.1

@VGS＝3.8V

1.10

2.2

@VGS＝3.1V

1.25

2.4

@VGS＝2.5V

1.60

3.1

封裝

名稱

TCSPED-302701

TCSPAC-153001

典型尺寸(mm)

2.74x3，

t=0.085

1.49x2.98，

t=0.11

抽樣檢查和供貨情況

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[2]已發(fā)布產品。

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